Direct-IO PCIe Flash – G3s系列

高速闪存及创新解决方案

Innovating Solid State Storage Solutions

  • 最新一代Shannon Direct-IO™ G3S固态闪存卡具有如下特性:
  • ◆ 超低延迟设计,4KB随机平均读延迟低至68µs,写延迟低至10µs。
  • ◆ 支持 PCIe 2.0x4,高达1.6GB/s读写带宽,数十万的随机IO读写。
  • ◆ 1x/1y nm新一代NAND,提供更大容量密度,单卡容量高达2.4TB。
  • ◆ 自适应RAID高可靠性设计。
  • ◆ 完善突发断电保护机制。
  • ◆ 高达数十PB的数据写入寿命。

技术介绍

Shannon Direct-IO PCIe Flash 集高性能,高可靠性和可塑性于一身,是一款专为解决高性能应用中的IO瓶颈而量身定制的企业级存储产品。

  • 主控器大规模并行架构

    采用基于专用大规模并行多处理器的闪存控制器,最大限度的减少中间步骤和资源冲突,实现最低时延(68µs RR/10µs RW)。

  • 高可靠性设计

    高信号处理技术及RAID技术确保数据安全可靠存储;完善的容错纠错检错机制提供端到端的数据保护,确保企业级应用的高可靠性。

  • 突发断电保护

    DRAM-less设计,极少量的控制器内部缓存在突发掉电时自动安全刷入闪存,确保突发状况下的数据完整安全。

  • 闪存延寿技术

    自适应处理及动态数据和负载跟踪技术,最小化写放大因子,最大化系统寿命,三年内允许高达5DWPD。

  • 支持最新一代及下一代闪存颗粒

    支持1x / 1y nm新一代NAND,实现容量的高扩展性,单卡容量高达2.4TB或更高。

  • 标准化软硬件接口

    标准半长PCIe 接口,25W峰值功耗,兼容所有现代化架式服务器;标准化块设备接口,应用程序无需改动轻松获数十倍的性能提升。

容量 闪存类型 读带宽 写带宽 随机读延迟
(4KB)
随机写延迟
(4KB)
随机读IOPS
(4KB)
随机写IOPS
(4KB)
UBER/MTBF/Endurance 物理形状 接口
600G MLC 1.4GB/s 1.0GB/s 68µs 10µs 300,000 250,000 1 sector per 1018 bits read
1.85 million hours
高达每天5次全盘写(5DWPD),持续3年
半长半高PCIe PCIe 2.0 x 4
800G 1.2GB/s 1.2GB/s 300,000 280,000
1.2TB 1.6GB/s 1.5GB/s 380,000 360,000
1.6TB 1.2GB/s 1.4GB/s 300,000 320,000
2.4TB 1.6GB/s 1.5GB/s 380,000 360,000
支持操作系统
RHEL 5/6/7, SLES10/11,CentOS5/6/7, Ubuntu10/11,Windows Server 2008/2008 R2/2012/2012 R2/2008 R2 with Hyper-V , Hyper-V Server 2008 R2/2012,VMware ESXi 5.0/5.1/5.5/6.0

应用领域

数据库应用
ORACLE IBM DB2 PostgreSQL
SYBASE Microsoft SQL Server MySQL
大数据分析
mongoDB Greenplum  
HBASE hadoop  
虚拟化应用
vmware Xen KVM
搜索及数字挖掘
elasticsearch Autonomy  
高性能计算
Adobe AUTODESK MAGMA
Cache及CDN